III grupės nitritinių puslaidininkinių darinių epitaksija MOCVD metodu

Padalinys: Fizikos fakultetas

Raktažodžiai: Kristaliniai sluoksniai, auginimas, epitaksija, metalo-organinės medžiagos, garų fazė, reaktorius, nitridiniai puslaidininkiai, GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, InAlN, BGaN, MOCVD, MOVPE, didelės galios elektronika, optoelektronika

III grupės nitridinių epitaksinių sluoksnių (GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, InAlN, BGaN) bei jų darinių (kvantinės duobės, supergardelės ir t.t.) auginimas MOCVD būdu ant safyro, SiC, GaN bei Si padėklų didelės galios elektronikos ir optoelektronikos prietaisams (šviestukų, lauko tranzistorių, diodų ir saulės elementų).

Panaudojimo galimybės.  Sluoksnių galimos savybės:
1) specialiai nelegiruotas GaN (uGaN), tamsinė minimali krūvininkų koncentracija n_e=10¹⁶ cm^-3, elektronų judris µ_e=250 cm²/Vs; sluoksnio greitis 0,1-2,5 mm/h, maksimalus sluoksnio storis iki 15 m.
2) n-tipo GaN (legiruotas Si), n_e =10¹⁶-10¹⁸ cm^-3, m_e=150-250 cm²/Vs, sluoksnio augimo greitis 1¸2-5 mm/h.
3) p-tipo GaN (legiruotas Mg), n_h=10¹⁶-10¹⁸ cm^-3, m_e=5-10 cm²/Vs, sluoksnio augimo greitis 0,1-0,5 mm/h.
4) InGaN – In koncentracija gali būti keičiama nuo 1% iki 30% ir nuo 60% iki 99%, InGaN lydinio su In koncentracija nuo 30% iki 59% (tyrimų stadija), n_e =10¹⁷-10²⁰ cm^-3, me=100-230 cm2/Vs, judrio vertės priklauso nuo In koncentracijos, sluoksnio augimo greitis 50-200 nm/h, galima legiruoti Si arba Mg.
5) InN - n_e=10¹⁸-10²⁰ cm^-3, m_e=600 cm²/Vs, sluoksnio augimo greitis 50-100 nm/h.
6) AlGaN – Al koncentracija nuo 1% iki 100% (AlN), augimo greitis 0,05-1 mm/h, galimas sluoksnio storis priklausomai nuo padėklo nuo 1 nm iki 1 m
7) AlInN ir BGaN tyrimų stadija.
8) Iš aukščiau minėtų kristalinių sluoksnių suformuoti sudėtingi dariniai (pvz. InGaN/GaN kvantinės duobės).
Galimi padėklai: safyras, Si, SiC, tūrinis GaN.

Kontaktai: Dr. Arūnas Kadys, tel. +37060034126,